CY7C1565KV18-550BZXC

CY7C1565KV18-550BZXC należy do 72-Mbit QDR® II+ SRAM Four-Word Burst Architecture (2,5 opóźnienia odczytu cyklu) komponentów elektronicznych Cypress. CY7C1565KV18-550BZXC to synchroniczna potokowa Burst SRAM wyposażona w port odczytu i port zapisu. Port odczytu jest dedykowany do operacji odczytu, a port zapisu jest przeznaczony do operacji zapisu.

Dane przepływają do pamięci SRAM przez port zapisu i wychodzą przez port odczytu. Urządzenia te multipleksują wejścia adresowe, aby zminimalizować liczbę wymaganych pinów adresowych. Posiadając oddzielne porty odczytu i zapisu, QDR II+ całkowicie eliminuje potrzebę „odwracania” magistrali danych i pozwala uniknąć ewentualnej rywalizacji o dane, upraszczając w ten sposób projektowanie systemu. Każdy dostęp składa się z czterech 36-bitowych transferów danych w przypadku CY7C1565KV18-550BZXC, w dwóch cyklach zegara.

cechy produktu

Rodzaj	Główne cechy produktu
CY7C1565KV18-550BZXC	Oddzielne niezależne porty odczytu i zapisu danych
	Zegar 550 MHz zapewnia wysoką przepustowość
	Seria czterech słów w celu zmniejszenia częstotliwości szyny adresowej
	Dostępne z opóźnieniem cyklu 2,5 zegara

Opis produktu

CY7C1565KV18 to synchroniczna, potokowa pamięć SRAM 1,8 V, wyposażona w architekturę QDR II+. Podobnie jak architektura QDR II, architektura QDR II+ składa się z dwóch oddzielnych portów: portu odczytu i portu zapisu umożliwiającego dostęp do macierzy pamięci. Port odczytu ma dedykowane wyjścia danych do obsługi operacji odczytu, a port zapisu ma dedykowane wejścia danych do obsługi operacji zapisu.

Rozszerzenie głębokości odbywa się za pomocą wyboru portów, co umożliwia niezależne działanie każdego portu. Wszystkie wejścia synchroniczne przechodzą przez rejestry wejściowe kontrolowane przez zegary wejściowe K lub K. Wszystkie dane wyjściowe przechodzą przez rejestry wyjściowe kontrolowane przez zegary wejściowe K lub K. Zapisy są przeprowadzane za pomocą synchronicznych obwodów zapisu w układzie scalonym.