CY7C1565KV18-500BZXC

CY7C1565KV18-500BZXC to synchroniczna, potokowa pamięć SRAM 1,8 V, wyposażona w architekturę QDR II+. Podobnie jak architektura QDR II, architektura QDR II+ składa się z dwóch oddzielnych portów: portu odczytu i portu zapisu w celu uzyskania dostępu do macierzy pamięci. Rozszerzenie głębokości jest realizowane za pomocą wyboru portów, co umożliwia niezależne działanie każdego portu.

Port odczytu ma dedykowane wyjścia danych do obsługi operacji odczytu, a port zapisu ma dedykowane wejścia danych do obsługi operacji zapisu. Architektura QDR II+ ma oddzielne wejścia i wyjścia danych, aby całkowicie wyeliminować potrzebę „odwracania” magistrali danych, która istnieje ze zwykłymi urządzeniami we/wy.

Każdy port jest dostępny przez wspólną magistralę adresową. Adresy do odczytu i zapisu adresów są zatrzaskiwane na naprzemiennych zboczach narastających zegara wejściowego (K). Dostępy do portów odczytu i zapisu QDR II+ są całkowicie niezależne od siebie. Aby zmaksymalizować przepustowość danych, zarówno porty odczytu, jak i zapisu są wyposażone w interfejsy DDR.

Każda lokalizacja adresowa jest powiązana z czterema 36-bitowymi słowami (CY7C1565KV18), które sekwencyjnie wpadają do lub z urządzenia. Ponieważ dane są przesyłane do i z urządzenia na każdym wznoszącym się zboczu obu zegarów wejściowych (K i K), przepustowość pamięci jest maksymalizowana, jednocześnie upraszczając projektowanie systemu poprzez eliminację „zawracania” magistrali.

cechy produktu